Indiumphosphid (InP)-Halbleiterverarbeitungstechnologie
Inhaltsverzeichnis
Einführung
Bewerbungsvoraussetzungen
Systemspezifikationen
Verarbeitungsablauf
Kundenfall
Bewerbungsvoraussetzungen
Die InP-Waferverarbeitung muss folgende Ziele erreichen:
Oberflächenrauheit: Nach-Polieren Ra Kleiner oder gleich 1 nm
Gesamtdickenschwankung (TTV): Endgültige Wafer-TTV kleiner oder gleich 2 µm
Dickenkontrolle: Zieldicke 150 µm (je nach Kundenanforderungen)
Kantenebenheit: Kompensieren Sie Kantenverwerfungen während der Polierphase mithilfe einer konvexen Schleifplatte.
Systemspezifikationen
Das HSM Präzisions-Schleif- und Poliersystem bietet eine vollständige{0}Prozesslösung.
Verarbeitungsablauf
Schleifvorbereitung
Verwenden Sie eine Ebenheitsprüflehre, um die Konvexität der Glasschleifplatte zu kalibrieren (zur Kompensation von Polierkanteneffekten).
Laden Sie den InP-Wafer auf die dafür vorgesehene Vorrichtung (ASJ). Führen Sie ein zweistufiges Mahlen mit Aluminiumoxidaufschlämmung durch:
Stufe 1: Schnittschäden entfernen und Rauheit auf 250–350 nm reduzieren.
Stufe 2: Verbessern Sie die Ebenheit und erreichen Sie eine Rauheit von 200–350 nm und einen TTV von weniger als oder gleich 3 µm.
Poliervorbereitung
Ersetzen Sie die Läppplatte durch ein Polierpad und stellen Sie das Schleifmittel auf HSM-Spezialpoliersuspension um.
Steuern Sie wichtige Parameter über die grafische Oberfläche:
Polierplattengeschwindigkeit: Weniger als oder gleich 100 U/min
Schlammdurchflussrate: Überwacht durch ein Echtzeit-Tropfzufuhr-Kontrollsystem (reduziert Abfall)
Druckbelastung: Dynamisch je nach Dickenanforderungen angepasst.
Ziel: Entfernen Sie Schäden unterhalb der Oberfläche und erzielen Sie eine atomar glatte Oberfläche (Ra kleiner oder gleich 1 nm).
Ergebnisse
Die vom HSM-LP-System verarbeiteten 2--Zoll-InP-Wafer erzielten die folgende Leistung:
Kundenfall
Ein Kunde nutzte das HSM-LP-System zur Verarbeitung von 2-Zoll (50 mm) InP-Wafern. Der Ablauf und die Ergebnisse sind wie folgt:
Zwei-Stufenschleifen:
Die Konvexität der Läppplatte ist auf die Zielkrümmung abgestimmt (um Kantenverzug entgegenzuwirken).
Material schrittweise mit Aluminiumoxidaufschlämmung entfernt, TTV auf 3 µm stabilisiert.
Polieren:
Durchflussrate der Polierflüssigkeit auf 50 ml/min eingestellt, Plattengeschwindigkeit auf 80 U/min.
Die Oberflächenrauheit wurde von 350 nm auf 1 nm reduziert (überprüft durch Dektak-Profilometer).
Endgültige Kennzahlen:
Dicke: 150 ± 0,5 µm
Ebenheit: TTV Kleiner oder gleich 1 µm
Kantenintegrität: Kein Abplatzen.
Technische Validierung
Schema: Oberflächenmorphologie des InP-Wafers nach der Verarbeitung durch das HSM-LP-System.
Hinweise:
Messausrüstung: Bruker ContourGT Weißlichtinterferometer
Vollständig-Prozessausbeute: Größer als oder gleich 98 % (Chargengröße von 80 Wafern)
